BlockBeats tin tức, ngày 1 tháng 7, Samsung Electronics sau khi sản xuất hàng loạt HBM4 (thế hệ thứ sáu) đầu tiên trên toàn cầu, đang có những bước tiến trong việc phát triển HBM4E (thế hệ thứ bảy) và DRAM thế hệ tiếp theo. Song Jae-hyuk, CTO của bộ phận DS kiêm Giám đốc Viện Nghiên cứu Bán dẫn Samsung Electronics, cho biết tại buổi họp báo cáo tình hình kinh doanh nội bộ tổ chức ngày 30 tháng 6 rằng tỷ lệ đạt yêu cầu trong thử nghiệm độ tin cậy của HBM4E đã tăng lên trên 70%. Trong ngành, thường cho rằng tỷ lệ đạt yêu cầu trên 80% là bước vào giai đoạn "tỷ lệ đạt yêu cầu trưởng thành" khi quy trình ổn định; xét đến việc HBM4E vẫn đang trong giai đoạn thử nghiệm độ tin cậy, mức trên 70% được coi là chỉ báo cho thấy quá trình phát triển đang bước vào vùng ổn định.

Samsung Electronics đã tiên phong sản xuất và xuất xưởng HBM4 từ tháng 2 năm nay, và vào ngày 29 tháng 5 đã công bố thông số kỹ thuật chi tiết của sản phẩm HBM4E 12 lớp, gửi mẫu cho các khách hàng chính. HBM4 sẽ được sử dụng cho bộ tăng tốc AI Vera Rubin mà NVIDIA ra mắt vào nửa cuối năm nay, trong khi HBM4E dự kiến sẽ được sử dụng cho các sản phẩm như bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo Vera Rubin Ultra của NVIDIA ra mắt vào năm sau.

Quá trình phát triển công nghệ DRAM thế hệ tiếp theo của Samsung cũng đang tiến triển thuận lợi. Song Jae-hyuk cho rằng công nghệ quy trình D1d có lợi thế cạnh tranh so với các đối thủ, và đang thúc đẩy phát triển với mục tiêu đạt được phê duyệt chuẩn bị sản xuất vào tháng 11. D1d là quy trình DRAM cốt lõi mà Samsung dự định áp dụng từ HBM5 (thế hệ thứ tám) trở đi, nếu tiến triển theo kế hoạch, sẽ có tác động tích cực đến khả năng cạnh tranh của các sản phẩm DRAM thế hệ tiếp theo và HBM5 sau này. (Fnnews)