BlockBeats 消息，7 月 28 日，韩国 KOSPI 指数今日下跌 8% 触发熔断机制，SK 海力士跌超 12%，三星电子跌超 10%，美股周一费城半导体指数一度跌超 5%。本轮美股与韩股半导体板块大跌，主要由中国芯片产业进展、AI 资本开支担忧及投资者高位获利了结等因素共同推动。

中国在半导体制造设备领域取得进展，中国企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，引发半导体设备股抛售，阿斯麦（ASML）大跌 5.80%。不过，三星证券指出，相关设备仍需验证量产能力，短期产量有限，且中国 AI 芯片和服务器 DRAM 暂难进入美国数据中心生态，对本轮 AI 半导体周期的实际影响有限。此外，Citrini 分析师 Jukan 表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。

摩根大通认为，中国国产浸没式 DUV 光刻设备虽已开始小规模生产，并计划于 2026 年和 2027 年分别生产约 5 台和 20 台，但其性能、可靠性及大规模量产能力仍需进一步验证，距离真正替代 ASML 设备尚远。近期 ASML 等半导体股下跌更多源于市场情绪恶化，而非基本面受损，ASML 的业绩轨迹预计不会因此改变。

长鑫科技上市首日上涨 466%，成为中国市值最大的 A 股上市公司，市场认为中国存储产业自给化进程可能加速。分析认为，长鑫科技完成亚洲今年规模最大的 IPO 后，意味着公司资本更充足，进一步提升其未来扩产、技术研发等能力。给全球存储芯片龙头造成长期竞争压力。受此影响，存储板块全线下跌，闪迪（SNDK）跌 11.02%、海力士（SKHY）跌 7.47%、西部数据（WDC）跌 4.21%。

与此同时，英伟达近期公布 7500 亿美元的大规模基础设施合作重新引发市场对 AI 资本开支回报、循环融资及供应商融资风险的担忧。投资者开始质疑巨额数据中心投入能否转化为足够收入，相关担忧进一步压制芯片股估值。英伟达的债务违约保险成本飙升，引发科技股走低，英伟达（NVDA）跌 4.99%。野村资产管理公司首席策略师 Hideyuki Ishiguro 表示，在有关英伟达重大投资交易的报道后，其信用风险上升，这被投资者视为利空信号。

此外，半导体板块此前涨幅较大，市场本身已进入获利了结阶段。半导体周期见顶、过度资本开支削弱盈利能力及中国半导体自给率提升等旧有看跌叙事被重新交易，形成股价下跌与市场情绪恶化相互强化的局面。三星证券认为，本轮下跌更多反映板块情绪脆弱，尚不足以证明 AI 数据中心投资周期已经见顶。